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台积电进军氮化镓市场 挑战德仪恩智浦快充霸主地位


晶圆龙头台积电先进制程技术跃进一大步,看好快充电源管理IC市场潜力,协同合作伙伴Dialog半导体,将于明年第1季推出首颗氮化镓(GaN)手机快充芯片,挑战目前快充芯片龙头德仪(TI)及恩智浦(NXP)霸主地位。

喧腾已久氮化镓制程,台积电终于宣布跨入氮化镓先进制程,为合作客户德商Dialog量身打造,采用6寸、0.5微米、650V矽上氮化镓(GaN-On-Silicon)制程技术,生产首颗氮化镓手机快充芯片,预计在明年第1季产出,该芯片具备体积缩小、效能提高、充电时间减半等优势,适用于手机及平板等移动快充,将挑战业界霸主德仪、恩智浦龙头地位。

智能手机配备快充已是目前各大国际品牌手机厂必备功能,相关电源管理IC解决方案的国际芯片大厂德仪、恩智浦及英飞凌等早已备妥相关电源管理IC方案,推出芯片多以氮化镓制程生产,此次,台积电与戴格乐合作,除了挑战霸主地位,更展现台积电在氮化镓制程成熟技术,向相关电源管理IC厂客户招手。

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